Khối PI

Nhựa siêu kỹ thuật polyimide chịu nhiệt độ cao có hiệu suất tuyệt vời mà nhiều loại nhựa kỹ thuật khác không có: chịu nhiệt độ cao, chịu nhiệt độ thấp, chống ăn mòn, tự bôi trơn, mài mòn thấp, tính chất cơ học tuyệt vời, ổn định kích thước tốt, hệ số giãn nở nhiệt nhỏ, cách nhiệt cao, dẫn nhiệt thấp, không nóng chảy, không rỉ sét, có thể thay thế kim loại, gốm sứ, PTFE và nhựa kỹ thuật trong nhiều trường hợp, được sử dụng rộng rãi trong hóa dầu, máy móc khai thác, máy móc chính xác, công nghiệp ô tô, thiết bị vi điện tử, thiết bị y tế và các lĩnh vực khác, với tỷ lệ giá hiệu suất tốt. Nó được sử dụng rộng rãi trong hàng không, vũ trụ, vi điện tử, nano, tinh thể lỏng, màng tách, laser và các lĩnh vực khác.

Các bộ phận có hệ số mài mòn thấp, hiệu suất chống mài mòn và tiêu thụ ở tốc độ cao và áp suất cao

Các bộ phận có khả năng chống creep hoặc biến dạng nhựa tuyệt vời

Các bộ phận có hiệu suất tự bôi trơn hoặc bôi trơn dầu tuyệt vời

Bộ phận niêm phong chất lỏng ở nhiệt độ cao và áp suất cao

Các bộ phận có khả năng chống uốn cao, kéo dài và chống va đập cao

Các bộ phận chống ăn mòn, chống bức xạ, chống gỉ

Nhiệt độ sử dụng lâu dài trên 300 ℃, các bộ phận ngắn hạn lên đến 400~450 ℃

Các ứng dụng điển hình bao gồm:

(1) Các bộ phận có hệ số mài mòn thấp, hiệu suất chống mài mòn và tiêu thụ ở tốc độ cao và áp suất cao;

(2) Các bộ phận có khả năng chống leo hoặc biến dạng nhựa tuyệt vời;

(3) Các bộ phận có hiệu suất tự bôi trơn hoặc bôi trơn dầu tuyệt vời;

(4) chất lỏng niêm phong các bộ phận ở nhiệt độ cao và áp suất cao;

(5) Các bộ phận có khả năng chống uốn cao, kéo dài và chống va đập cao;

(6) Các bộ phận chống ăn mòn, chống bức xạ và chống gỉ;

(7) dài hạn sử dụng nhiệt độ trên 300 ℃, ngắn hạn đến 400~450 ℃ bộ phận;

(8) chịu nhiệt độ cao (hơn 260 ℃) kết cấu keo (nhựa epoxy sửa đổi, nhựa phenolic sửa đổi, chất kết dính silicone hữu cơ sửa đổi và các dịp khác chịu nhiệt độ không quá 260 ℃);

(9) Đối với gói vi điện tử, lớp phủ bảo vệ đệm ứng suất, cách nhiệt giữa các lớp của cấu trúc kết nối nhiều lớp, màng điện môi, thụ động bề mặt chip, v.v.